Η Kioxia και η SanDisk έχουν αρχίσει να δειγματίζουν τα τσιπ μνήμης BiCS 3D NAND δέκατης γενιάς 332 επιπέδων.
Τα νέα τσιπ TLC 1 Tbit (3 bit ανά κυψέλη) έχουν σχεδιαστεί για ανάπτυξη SSD σε επιχειρήσεις και κέντρα δεδομένων. Αυτή η νέα επανάληψη διαδέχεται τη μνήμη flash 218 επιπέδων BiCS 8. Εκτός από την αύξηση κατά 52% στα επίπεδα στοίβαξης, το δίδυμο έχει υιοθετήσει δύο βασικές αναβαθμίσεις: τις τεχνολογίες CMOS Direct Bonded to Array (CBA) και On-Pitch Select Gate Drain (OPS). Η διαδικασία CBA κατασκευάζει χωριστά πλακίδια κυψέλης λογικής και NAND πριν τα συνδέσει μεταξύ τους, ενώ το OPS περικόπτει το μήκος γραμμής bit και μειώνει τη χωρητικότητα γραμμής λέξης εξαλείφοντας τις περιττές οπές μνήμης.
Η βελτιωμένη πλευρική κλιμάκωση και επιπλέον 114 στοιβαγμένα στρώματα ενισχύουν από κοινού την πυκνότητα κυψελών του τσιπ. Η ταχύτητα διεπαφής 4,8 Gbit/s είναι 33% μεγαλύτερη από την προηγούμενη γενιά BiCS 8. Η Kioxia επιβεβαιώνει επίσης 18% βελτιωμένη απόδοση ισχύος εγγραφής και 30% καλύτερη απόδοση ισχύος ανάγνωσης, μειώνοντας αποτελεσματικά τη συνολική κατανάλωση ισχύος.
Η ενδιάμεση τεχνολογία BiCS 9 της Kioxia αξιοποιεί κυψέλες BiCS 8 3D NAND 218 επιπέδων σε συνδυασμό με ένα ανεξάρτητο λογικό στρώμα CMOS, παρέχοντας καλύτερη απόδοση από το αρχικό κύκλωμα BiCS 8. Εξοπλισμένο με τη διεπαφή Toggle DDR6.0 και το πρωτόκολλο SCA (Separate Command Address), το BiCS 10 επιτυγχάνει ρυθμό μεταφοράς 4,8 Gbit/s, που αντιπροσωπεύει την ίδια αναβάθμιση ταχύτητας 33% σε σχέση με το BiCS 8.
Sandisk και Kioxia's BiCS 10 NAND
Η μαζική παραγωγή του BiCS 10 έχει προγραμματιστεί να ξεκινήσει τον επόμενο χρόνο στο εργοστάσιο Kitakami της Ιαπωνίας 2 στην επαρχία Iwate. Ως μέρος της κοινοπραξίας τους, και οι δύο εταιρείες μοιράζονται την παραγωγή του εργοστασίου και επί του παρόντος αποστέλλουν δείγματα BiCS 10. Η πλατφόρμα 332 επιπέδων υποστηρίζει επίσης επερχόμενες παραλλαγές QLC (4 bit ανά κυψέλη), οι οποίες μπορούν να αυξήσουν τη χωρητικότητα του τσιπ κατά το ένα τρίτο. Η αρχιτεκτονική BiCS 10 στοιβάζει τρία σετ από 100+ στρώσεις NAND συμβολοσειρών, αντί να υιοθετεί ένα μονολιθικό σχέδιο τσιπ 332 επιπέδων.
Η Kioxia αναμένει συνεχή ισχυρή ζήτηση NAND λόγω της αυξανόμενης δημοτικότητας της ρομποτικής τεχνητής νοημοσύνης και τεχνητής νοημοσύνης. Ο Διευθύνων Σύμβουλος Hiroo Ota σηματοδότησε πιθανή επέκταση της χωρητικότητας κατά τη διάρκεια εκδήλωσης ιαπωνικών μέσων ενημέρωσης, δηλώνοντας ότι η εταιρεία θα καλύψει πλήρως τη συνεχή ανάπτυξη της αγοράς.
Στο ανταγωνιστικό τοπίο, το 3D NAND 9ης γενιάς της SK Hynix διαθέτει 321 επίπεδα με δομή στοίβαξης τριπλής χορδής. Το V NAND δέκατης γενιάς της Samsung φτάνει τα 400 επίπεδα, υιοθετώντας μια αρχιτεκτονική Cell-on-Periphery (CoP) με ξεχωριστή λογική και πλακίδια μνήμης για την παραγωγή μήτρων 1 Tbit, παρόμοια με τη σχεδίαση της Kioxia. Η Micron προσφέρει επί του παρόντος NAND 276 επιπέδων, χωρίς επίσημες ενημερώσεις για τον οδικό χάρτη μελλοντικών επιπέδων. Η κινεζική YMTC είναι έτοιμη να κυκλοφορήσει την τεχνολογία 3D NAND κατηγορίας 300 επιπέδων στο εγγύς μέλλον.
Beijing Qianxing Jietong Technology Co., Ltd.
Sandy Yang/Διευθυντής Παγκόσμιας Στρατηγικής
WhatsApp / WeChat: +86 13426366826
Email: yangyd@qianxingdata.com
Ιστοσελίδα: www.qianxingdata.com/www.storagesserver.com
Επιχειρηματική εστίαση:
Διανομή προϊόντων ΤΠΕ/Ενοποίηση συστήματος & Υπηρεσίες/Λύσεις υποδομής
Με 20+ χρόνια εμπειρίας διανομής πληροφορικής, συνεργαζόμαστε με κορυφαίες παγκόσμιες μάρκες για την παροχή αξιόπιστων προϊόντων και επαγγελματικών υπηρεσιών.
«Χρησιμοποιώντας την τεχνολογία για τη δημιουργία ενός ευφυούς κόσμου» Ο αξιόπιστος πάροχος υπηρεσιών προϊόντων ΤΠΕ!
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!
Greek
